介质损耗因素tgδ试验设备选取及试验方法

介质损耗因素tgδ试验

其原理在前面已经讲过，tgδ是IR/IC的比值，它能反映电介质内单位体积中能量损耗的大小，只与电介质的性质有关，而与其体积大小尺寸均没有关系。因此，tgδ的测试目的，也是能够有效地发现设备绝缘的普遍老化、受潮、脏污等整体缺陷。

对小电容设备，如套管、互感器(电容式)也能够发现内部是否存在气隙及固定绝缘开裂等集中性的局部绝缘缺陷。但要说明一点的是，针对大电容的设备如变压器、电缆等进行 tg6的测量时，只能发现他们的整体分布性缺陷，而其局部集中性的缺陷可能不会被发现:而对于套管、互感器等小电容量的设备测tgδ能有效地发现其局部集中性和整体分布性的缺陷。这也是大型变压器不仅要单独测试引出线套管的 tgδ也要测套管连同绕组的介损tgδ，就是因为套管若有缺陷时在整体绝缘良好时不能体现出来。

设备的选取及常规试验方法：

因为精度和灵敏度的原因，测变压器和一般套管的介损时(包括电容式CT)，应采用介损测试仪，而当测试电容式PT电容量和tgδ时，可采用异频介损测试仪，它介绍了CVT的中压电容C的测试方法，比较方便 (自激法)。两者的原理前者是通过比较内部标准回路电流和被试品的电流的幅值及相互的相差，后者是电桥原理，离散傅立叶算法。

一般接线形式主要有二种：

正接法：适用于测量两相对地绝缘的设备，测试精度较高，如套管和电容式CT的主绝缘tgδ，耦合电容的的 tgδ 等；

反接法：适用于测量一级接地的设备，仪器的外壳必须接地可靠，如变压器连同套管和绕组的tgδ，套管和电容CT的末屏tgδ等。另外还有自激法，对角接线等，不同的试验设备均有不同的接线形式，取决于现场环境及标准设备。

需要说明的是现场试验时要创造条件，力求测试精度，如主变高低压侧套管的tgδ测试必须要用正接法，应要求安装单位制作测试平台，以达到两极绝缘的条件。对于CVT中压电容的tgδ测试，应充分理解仪器的操作程序，按照其说明，操作规程进行试验。